Показана возможность производства графеновых транзисторов на существующих технологиях

Исследователи из Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе (США) заявили о создании высококачественных графеновых полевых транзисторов по стандартной литографической технологии. Частота полученных таким образом транзисторов составила 427 ГГц.

 Если полевые транзисторы на графене можно будет производить по нынешним методикам, электронику ждут серьёзные потрясения.